[发明专利]用于膜形成的前驱体和用于形成含钌膜的方法有效
| 申请号： | 200580037025.8 | 申请日： | 2005-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101048853A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | C·迪萨拉;柳田和孝;J·伽蒂诺 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285;C23C16/06;C23C16/40;C01G55/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;张耀宏 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于沉积钌膜的前驱体，其包含溶于至少一种非可燃性溶剂，优选氟化溶剂中的四氧化钌，所述溶剂具有通式CxHyFzOtNu，式中：2x+2≤y+z且2≤x≤15且z＞y且t+u≥1(t+u优选等于1)，x、y、z、t和u为正整数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 前驱 含钌膜 方法 | ||
【主权项】：
1.用于形成含钌膜的前驱体，其包含溶解于非可燃性氟化溶剂中的四氧化钌，所述溶剂具有通式CxHyFzOtNu(1)，式中：2x+2≤y+z且2≤x≤15且z＞y且t+u≥1，x、y、z、t和u为正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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