[发明专利]在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性的方法有效
| 申请号： | 200580037637.7 | 申请日： | 2005-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101053068A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 陈婉琳;竹下健二;朝生强;川口晴司;T·麦克拉德;E·马格尼;M·凯利;M·卢潘;R·赫夫蒂 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了在等离子体处理室的硅或碳化硅电极上形成保护性聚合物涂层的方法。相对于对等离子体和气体反应剂组分的暴露，聚合物涂层对下面的电极表面提供保护。所述方法可以在清洗室的处理期间，或在室中蚀刻半导体基材的处理期间进行。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 处理 期间 保护 碳化硅 电极 表面 免于 形态 改性 方法 | ||
【主权项】：
1、在等离子体处理室中沉积保护性聚合物涂层的方法，所述方法包括：将气体组合物供应到等离子体处理室中，所述等离子体处理室包括具有暴露于等离子体的表面的硅或碳化硅电极，所述电极面对支持半导体基材的基材支架；将气体组合物激发成等离子态；和在至少一部分暴露于等离子体的电极表面上形成保护性聚合物涂层，在随后半导体基材在室中的等离子体蚀刻期间，所述聚合物涂层能够提供保护以防止保护性涂层下面的表面被蚀刻。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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