[发明专利]激光加工方法和半导体芯片有效
申请号: | 200580038894.2 | 申请日: | 2005-11-10 |
公开(公告)号: | CN101057317A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 杉浦隆二;坂本刚志 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/40 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种激光加工方法,将形成有包含多个功能元件的层压部的衬底加以切断的时,特别地能够进行层压部的高精度的切断。在将保护胶带(22)粘贴在层压部(16)的表面(16a)后的状态下,将衬底(4)的背面(4b)作为激光入射面来照射激光(L),由此使改质区域(7)沿着切断预定线而形成于衬底(4)的内部,并产生从改质区域(7)的表面侧端部(7a)起到达衬底(4)的表面(4a)的龟裂(24)。然后,在产生这样的龟裂(24)的状态下,将扩张胶带粘贴在衬底(4)的背面(4b)并使其扩张时,不仅可将衬底(4)而且可将切断预定线上的层压部(16),即层间绝缘膜(17a,17b),沿着切断预定线精度良好地切断。 | ||
搜索关键词: | 激光 加工 方法 半导体 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种激光加工方法,其特征在于,通过将聚光点对准于在表面上形成有包含多个功能元件的层压部的衬底的内部来照射激光,从而沿着所述衬底的切断预定线,在所述衬底的内部形成作为切断的起点的改质区域,将所述改质区域形成为,使得产生从所述改质区域的表面侧端部起至少到达所述衬底的表面的龟裂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造