[发明专利]用于寻址奈米级电阻式存储阵列之二极管阵列架构无效
| 申请号： | 200580039025.1 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101057330A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | N·H·特里普沙斯;C·S·比尔;M·A·范巴斯科克;M·拜诺斯基;T－N·方;W·D·蔡;S·K·潘格勒;S·阿万兹诺 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/102 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明之存储结构包括：第一导体(BL)；第二导体(WL)；连接至该第二导体(WL)之电阻式存储单元(130)；连接至该电阻式存储单元(130)及该第一导体(BL)之第一二极管(134)，该第一二极管(134)定位在从电阻式存储单元(130)至该第一导体(BL)的正向方向；以及连接至该电阻式存储单元(130)及第一导体(BL)之第二二极管(132)，该第二二极管(132)与该第一二极管(134)并联，且定位在从该电阻式存储单元(130)至该第一导体(BL)的反方向。该第一及第二二极管(134、132)具有不同的临界电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 寻址 奈米级 电阻 存储 阵列 二极管 架构 | ||
【主权项】：
1.一种存储结构，包括：第一导体(BL)；第二导体(WL)；电阻式存储单元(130)，连接至该第二导体(WL)；第一二极管(134)，连接至该电阻式存储单元(130)及该第一导体(BL)，且定位于从该电阻式存储单元(130)至该第一导体(BL)的正向方向；以及第二二极管(132)，连接至该电阻式存储单元(130)及该第一导体(BL)并与该第一二极管(134)并联，且定位于从该电阻式存储单元(130)至该第一导体(BL)的反方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
