[发明专利]具有电压均衡环的钝化结构

摘要

一种半导体设备(10)，包括：通过阻性材料的导电带形成的钝化结构(16)，所述导电带在设备的有源区域周围自身交叉一次以形成第一闭环；以及环绕所述自身交叉第二次以形成第二闭环的第一闭环而不自身交叉的连续带(22)。

主权项

1.一种半导体设备，包括：第一导电类型的半导体晶片主体；在所述半导体主体中形成的有源区域，所述有源区域包括终止于所述有源区域的外围边界附近的第二导电类型的区域；以及围绕所述有源区域周围部署的钝化结构，所述钝化结构包括：基本均匀宽度的阻性材料的连续带，所述连续带在所述有源区域周围自身交叉一次以形成电阻材料的第一闭环，作为所述钝化结构的内边界，并且交叉第二次以在所述第一闭环周围形成所述电阻材料的第二闭环并且作为所述钝化结构的外边界；以及所述电阻材料的环带，该环带环绕所述第一闭环而自身不交叉并且终止于所述第二闭环；其中所述环带一端从所述第一闭环的外边缘向外延伸，并且另一端在所述第二闭环的内边缘终止。