[发明专利]基于温度的DRAM刷新有效
| 申请号： | 200580039178.6 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101061548A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 阿尔纳多·R·克鲁兹;卡迪尔·A·库雷希 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;H01L37/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于温度测量控制DRAM单元阵列的刷新周期的系统。在主动模式期间，将基于测量温度的刷新请求指示提供给DRAM控制器(例如另一个集成电路晶片的)，其中DRAM控制器(121)响应该指示启动DRAM单元阵列(105)的刷新周期。在自刷新模式中，DRAM控制器不启动刷新周期，但是刷新周期由阵列的集成电路晶片上的控制器基于温度测量而执行。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 温度 dram 刷新 | ||
【主权项】：
1.一种电子系统，包括：第一集成电路晶片，包括：动态随机存取存储器(DRAM)单元阵列；温度传感器；刷新电路系统，该刷新电路系统用于刷新DRAM单元阵列；外部输出，该外部输出提供刷新请求指示，其中刷新请求指示表示基于温度传感器的测量温度执行阵列的刷新周期的请求；第二集成电路晶片，包括：控制电路系统；输入，连接该输入以接收刷新请求指示；其中第二集成电路晶片的控制电路系统利用接收的刷新请求指示来启动阵列的刷新周期。
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