[发明专利]生长第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜的方法和装置、以及第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜

摘要

本发明描述了一种通过远程等离子体强化化学汽相淀积生长第(Ⅲ)族金属氮化物薄膜的方法和装置。该方法包括，将选自衬底和包括缓冲层的衬底的目标在生长室内加热到大约400℃至大约750℃的温度范围，在远离生长室的氮等离子体中产生活性中性氮种，并将该活性中性氮种输送至生长室中。在生长室中形成反应混合物，该反应化合物中含有能够与氮种反应形成第(Ⅲ)族金属氮化物薄膜的第(Ⅲ)族金属物种，并且该第(Ⅲ)族金属氮化物薄膜在使薄膜适用于装置用途的条件下在所加热的目标上形成。本发明还描述了一种显示低于1.6原子％的氧浓度的第(Ⅲ)族金属氮化物薄膜。

主权项

1.一种通过远程等离子体强化化学汽相淀积生长第(III)族金属氮化物薄膜的方法，所述的方法包括下述步骤：(a)将选自衬底和包括缓冲层的衬底的目标在生长室内加热至大约400℃至大约750℃的温度范围内；(b)在远离生长室的氮等离子体中产生活性中性氮种；(c)将活性中性氮种输送至生长室中；(d)在生长室中形成反应混合物，该反应混合物中含有能够与氮种反应形成第(III)族金属氮化物薄膜的第(III)族金属物种；以及(e)在使薄膜适用于装置用途的条件下，在所加热的目标上形成第(III)族金属氮化物薄膜。