[发明专利]提纯三氯硅烷和四氯化硅的方法和设备有效
| 申请号： | 200580039715.7 | 申请日： | 2005-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101065324A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | G·哥蒂 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本发明涉及用于提纯三氯硅烷和/或四氯化硅的方法(和相应的设备)，其包括以下处理工业级三氯硅烷和/或工业级四氯化硅的步骤：通过加入二苯基硫卡巴腙和/或三苯基氯代甲烷使得所述硼杂质(三氯化物BCl3)和其它金属杂质络合，形成具有高沸点的络合物大分子；对所述络合步骤产物进行第一塔蒸馏，其中所述络合的硼杂质与其它金属杂质一起作为底馏分除去；和对所述前一蒸馏的顶馏分进行第二塔蒸馏，其中电子级三氯硅烷(加上可能存在的二氯硅烷)和/或四氯化硅作为顶馏分得到，以及具有一定残留量的三氯硅烷和/或四氯化硅的氯化磷PCl3和含磷化合物、氯化砷AsCl3和含砷化合物、铝化合物、锑化合物和一般所有存在的金属和准金属化合物以及碳－硅烷化合物作为底馏分得到。 | ||
| 搜索关键词： | 提纯 硅烷 氯化 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种提纯三氯硅烷和/或四氯化硅的方法，其包括以下处理工业级三氯硅烷和/或工业级四氯化硅的步骤：-通过加入二苯基硫卡巴腙和/或三苯基氯代甲烷使得所述硼杂质(三氯化物BCl3)和其它金属杂质络合，形成具有高沸点的络合物大分子，-对所述络合步骤产物进行第一塔蒸馏，其中所述络合的硼杂质与其它金属杂质一起作为底馏分除去，和-对所述前一蒸馏的顶馏分进行第二塔蒸馏，其中电子级三氯硅烷(加上可能存在的二氯硅烷)和/或四氯化硅作为顶馏分得到，以及具有一定残留量的三氯硅烷和/或四氯化硅的氯化磷PCl3和含磷化合物、氯化砷AsCl3和含砷化合物、铝化合物、锑化合物和一般所有存在的金属和准金属化合物以及碳-硅烷化合物作为底馏分得到。
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