[发明专利]用于等离子体处理系统的RF接地开关有效
| 申请号： | 200580039837.6 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101316949A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 拉杰·迪得萨;费利克斯·科扎克维奇;埃里克·伦茨;拉塞尔·马丁 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00;H01L21/306;B44C1/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体处理系统中的用于选择性地在电极与地之间提供RF接地路径的装置。该装置包括RF导电路径结构和环形结构。环形结构和RF导电路径结构具有彼此相关的两个相关位置。两个相关位置的第一相关位置的特征在于使环形结构与RF导电路径结构电耦合，以使RF导电路径结构接地。两个相关位置的第二相关位置的特征在于使环形结构从RF导电路径电分离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 系统 rf 接地 开关 | ||
【主权项】：
1.一种用于在等离子体处理系统中选择性地在电极与地之间提供RF接地路径的装置，包括：RF导电路径结构，所述RF导电路径结构被配置为在RF能量子系统与所述电极之间提供RF导电路径；环形结构，由导电材料构成，所述环形结构和所述RF导电路径结构具有彼此相关的两个相关位置，所述两个相关位置的第一相关位置的特征在于使所述环形结构与所述RF导电路径结构电耦合，以使所述RF导电路径结构接地，所述两个相关位置的第二相关位置的特征在于使所述环形结构从所述RF导电路径电分离。
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