[发明专利]电子标签芯片无效
| 申请号： | 200580039855.4 | 申请日： | 2005-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101076887A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 宇佐美光雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L29/786;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了扩大电子标签芯片的通信距离，需要降低电子标签芯片的耗电。在SOI(Silicon on Insulator：硅绝缘体)上形成电容和二极管，除去SOI的硅衬底。可降低电子标签芯片的电容和二极管与接地端的寄生电容，从而可降低电子标签芯片的耗电，扩大电子标签芯片的通信距离。 | ||
| 搜索关键词： | 电子标签 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，是用SOI晶片形成构成电子标签芯片的整流电路的MOS二极管或MOS电容，并除去背面的硅后形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
