[发明专利]在具有碱金属离子的超临界氨中氮化物单晶的晶种生长有效
| 申请号： | 200580040008.X | 申请日： | 2005-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101061570A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·德威林斯基;罗曼·多拉辛斯基;哲兹·卡兹尼斯基;莱哲克·西芝普陶斯基;神原康雄 | 申请（专利权）人： | 波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;C30B29/40;C30B9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 波兰*** | 国省代码： | 波兰;PL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及通过在更小的晶种上，在结晶温度和/或压力下，从超临界含氨溶液中进行含镓氮化物的选择性结晶，来获得更大面积的单晶含镓氮化物衬底的方法，该超临界含氨溶液是通过将含镓原料溶解在含有碱金属离子的超临界含氨溶剂中制备的，该方法包括：提供两个或更多个基本晶种，并且在两个或更多个分开的基本晶种上进行选择性结晶，以获得合并的更大的复合晶种。将该合并的更大的复合晶种在新的生长过程中用于晶种，于是获得了单晶含镓氮化物的更大的衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 碱金属 离子 临界 氮化物 生长 | ||
【主权项】：
1.通过在更小的基本晶种上，在结晶温度和/或压力下，从超临界含氨溶液中进行含镓氮化物的选择性结晶，来获得更大面积的单晶含镓氮化物衬底的方法，该超临界含氨溶液是通过将含镓原料溶解在含有碱金属离子的超临界含氨溶剂中制备的，该方法包括：提供两个或更多个基本晶种，并且在两个或更多个分离的基本晶种上进行选择性结晶，以获得合并的更大的复合晶种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社，未经波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580040008.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光敏印刷套管热处理的方法
- 下一篇：涂装器械用方法与装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
