[发明专利]用于利用羰基金属前驱体沉积金属层的方法无效
申请号: | 200580040101.0 | 申请日: | 2005-10-03 |
公开(公告)号: | CN101072894A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 铃木健二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/16 | 分类号: | C23C16/16;H01L21/768 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李剑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明描述了一种用于利用CO气体和稀释气体增大以羰基金属前驱体(52、152)形成的金属层(440、460)的沉积速率的方法(300)和沉积系统(1、100)。该方法(300)包括在处理系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125、400、402),形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体,在处理室(10、110)中稀释处理气体,以及将衬底(25、125、400、402)暴露于经稀释的处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)。沉积系统(1、100)包含衬底夹持器(20、120)、前驱体传输系统(105)、稀释气体源(37、137)和控制器(165),其中衬底夹持器(20、120)被配置用于在具有蒸汽分配系统(30、130)的处理室(10、110)中支撑并加热衬底(25、125、400、402),前驱体传输系统(105)被配置用于形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体并将处理气体引入蒸汽分配系统(30、130),稀释气体源(37、137)被配置用于在处理室(10、110)中向处理气体添加稀释气体,控制器(165)被配置用于在将衬底(25、125、400、402)暴露于经稀释的处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)的期间控制沉积系统(1、100)。 | ||
搜索关键词: | 用于 利用 羰基 金属 前驱 沉积 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在衬底上沉积金属层的方法,该方法包括:在沉积系统的处理室中提供衬底;形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体;将所述处理气体引入所述处理室中;在所述处理室中向所述处理气体添加稀释气体以形成经稀释的处理气体;以及将所述衬底暴露于所述经稀释的处理气体以通过热化学气相沉积工艺在所述衬底上沉积金属层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的