[发明专利]沉积阴影掩膜保护的多层阴影掩膜结构及其制造和使用方法有效
| 申请号： | 200580040111.4 | 申请日： | 2005-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101065827A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·W·康拉德 | 申请（专利权）人： | 阿德文泰克全球有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多层阴影掩膜及其使用方法。所述多层阴影掩膜包括与沉积掩膜结合的牺牲掩膜。所述牺牲掩膜对沉积掩膜上蒸发物的累积提供保护以防止沉积掩膜变形。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 阴影 保护 多层 膜结构 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层阴影掩膜，包括：沉积掩膜，其具有至少一个通孔；以及牺牲掩膜，其具有至少一个通孔，其中：所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜结合在一起，所述牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐；并且所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜以一种方式结合，所述方式为：紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜以在它们之间形成间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
