[发明专利]半导体装置以及制造包括多堆栈混合定向层之半导体装置之方法有效
申请号: | 200580040188.1 | 申请日: | 2005-11-29 |
公开(公告)号: | CN101065840A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | A·M·韦特;J·D·奇克 | 申请(专利权)人: | 先进微装置公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈泊;程伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种包括具有第一晶向的衬底的半导体装置。第一绝缘材料位于衬底上且多个硅层位于第一绝缘层上。第一硅层包含具有第二晶向和一晶面的硅。第二硅层包含具有该第二晶向和基本上与该第一硅层的晶面垂直的晶面的硅。因为空穴在(110)面比在(100)面具有更高的迁移率,而电子在(100)面比在(110)具有更高的迁移率,故可藉由选择具有某晶面定向的硅层而增进半导体装置的效能。此外,提供形成半导体装置的方法。绝缘体上硅结构键合至第二硅衬底,该绝缘体上硅结构包括有第一绝缘层形成于其上的、具有第一晶向的第一硅衬底,以及位于该第一绝缘层上的具有第二晶向和晶面的第一硅层。该第二硅衬底具有第二晶向和一晶面以及形成于其上的第二绝缘层。该第二硅衬底包括通过注入氢离子至该第二硅衬底而产生的缺陷线。该第二硅衬底的晶面定向为基本上与该第一硅层的晶面垂直。该第二硅衬底沿缺陷线分裂和移除而在绝缘体上硅结构上留下第二绝缘层和第二硅层。通过选择性蚀刻绝缘体上硅结构至不同晶向的硅层、在蚀刻的区域生长选择性外延硅层、以及接着以化学机械研磨方式平坦化绝缘体上硅结构,而可接着形成多个具有不同晶向的装置在单一、平面的绝缘体上硅结构上。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 包括 堆栈 混合 定向 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:具有第一晶向的衬底(18);位于该衬底(18)上的第一绝缘层(14);以及位于该第一绝缘层(14)上的多个硅层,其中,第一硅层(42)包含具有第二晶向和一晶面的硅,以及第二硅层(25)包含具有该第二晶向及基本上与该第一硅层(42)的晶面垂直的晶面的硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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