[发明专利]用于基于退火系统的高功率激光二极管的自动聚焦装置无效
| 申请号： | 200580040288.4 | 申请日： | 2005-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101065829A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 迪安·詹宁斯;蒂莫西·N·托马斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;陈红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种热处理衬底的设备包括具有沿着慢轴排列的多个激光二极管的激光辐射源、将来自源的激光辐射定向到衬底的镜片，以及沿着垂直于慢轴的快轴排列并接收从衬底反射通过镜片的部分激光辐射的光电探测器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基于 退火 系统 功率 激光二极管 自动 聚焦 装置 | ||
【主权项】：
1、一种热处理衬底的装置，包括：激光辐射源，其包括沿慢轴排列的多个激光二极管；镜片，将来自所述源的所述激光辐射定向至所述衬底；以及光电探测器阵列，其沿着垂直于所述慢轴的快轴排列并接收从所述衬底反射通过所述镜片的部分所述激光辐射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
