[发明专利]用于检测薄弱单元的SRAM测试方法和SRAM测试配置有效
| 申请号： | 200580040538.4 | 申请日： | 2005-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101065809A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 何塞德赫苏斯·皮内达德久韦茨;穆罕默德·阿兹梅恩;安德烈·S·巴甫洛维奇 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种方法和测试配置，用于测试具有连接在一对位线之间的第一单元和第二单元的SRAM。在第一步骤中(410)，将数据值存储在作为受测试的单元(CUT)的第一单元中，并且将其补数存储在作为基准单元的第二单元中。接下来，将位线预充电到预定电压(步骤420)。随后，例如通过向基准单元的字线提供多个电压脉冲，启用所述字线达到预定时间段。这引起了与基准单元的逻辑“0”节点相连的位线的电压降落。在随后的步骤(440)中，启用CUT的字线，将CUT暴露于电压减小的位线。这与较差地重写CUT是等效的。最后，评价CUT中的数据值。如果所述数据值已经翻转，则CUT是薄弱单元。可以通过改变上述位线上的已减小电压来检测不同薄弱水平的单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 薄弱 单元 sram 测试 方法 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试静态随机存取存储器(600)的方法，所述静态随机存取存储器具有连接在第一位线(BLB)和第二位线(BL)之间的第一单元和第二单元，第一单元响应第一字线(WL1)，并且第二单元响应第二字线(WL2)，所述方法包括：将数据值存储在第一单元中；将数据值的补数存储在第二单元中；将第一位线(BLB)和第二位线(BL)中的至少一个充电到预定电压；启用第二字线(WL2)达到预定时间段；启用第一字线(WL1)；以及评估在第一单元中存储的数据值。
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