[发明专利]呈基质材料形式的吩噻嗪-S-氧化物和吩噻嗪-S,S-二氧化物在有机发光二极管中的用途无效
申请号: | 200580040544.X | 申请日: | 2005-11-23 |
公开(公告)号: | CN101065857A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | T·格斯纳;W·科瓦尔斯基;C·席尔德克内希特 | 申请(专利权)人: | 巴斯福股份公司 |
主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 刘金辉;林柏楠 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及呈基质材料形式的吩噻嗪-S-氧化物和吩噻嗪-S,S-二氧化物在有机发光二极管中的用途,尤其是呈基质材料形式的吩噻嗪-S-氧化物和吩噻嗪-S,S-二氧化物在有机发光二极管的发光层中的用途。还公开了包含含有至少一种呈基质材料形式的吩噻嗪-S-氧化物或吩噻嗪-S,S-二氧化物和至少一种呈发光体形式分布于其中的其它物质的有机层的有机发光二极管,由一种或多种呈基质材料形式的吩噻嗪-S-氧化物或吩噻嗪-S,S-二氧化物和至少一种呈发光体形式分布于其中的其它物质组成的发光层,包含相应发光层的有机发光二极管,以及具有相应有机发光二极管的器件。 | ||
搜索关键词: | 基质 材料 形式 吩噻嗪 氧化物 二氧化物 有机 发光二极管 中的 用途 | ||
【主权项】:
1.式I化合物在有机发光二极管中作为基质材料的用途:其中:X为SO或SO2基团,R1为氢、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、式II结构部分:式III结构部分:或式IV结构部分:X1、X2、X3各自独立地为X、SO或SO2基团,R2、R3、R4、R5、R7、R8、R11、R12各自独立地为烷基、芳基杂芳基,m、n、q、r、t、u、x、y各自独立地为0、1、2或3,R6、R9、R10各自独立地为烷基、芳基、烷氧基或芳氧基,s、v、w各自独立地为0、1或2,B为亚烷基桥键-CH2-CkH2k-,其中-CkH2k-单元的一个或多个非相邻的CH2基团可被氧或NR替代,R为氢或烷基,k为0、1、2、3、4、5、6、7或8,j为0或1,和z为1或2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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