[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200580040963.3 | 申请日: | 2005-12-05 |
公开(公告)号: | CN101069289A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 李昔宪 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾晋伟;刘继富 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供一种氮化物半导体发光器件,包括:第一氮化物半导体层;形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层;和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层。根据本发明,提高了氮化物半导体发光器件的光功率,改善了光功率下降现象并提高了抗ESD(静电放电)的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氮化物半导体发光器件,包括:第一氮化物半导体层;形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层;和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层。
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