[发明专利]一种在集成电路管芯上形成互连结构的方法无效
| 申请号： | 200580041139.X | 申请日： | 2005-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101069280A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 维姆·贝斯令 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种用于形成互连结构的方法，包括：形成嵌入第一电介质层(118)中的第一互连层(123)；通过所述第一互连层(123)表面上的原子层沉积，形成电介质钽氮化物阻挡层(150)；在所述第一互连层(123)和所述阻挡层(150)上沉积第二电介质层(134)；以及在所述电介质层(134)中向阻挡层(150)刻蚀通孔(154)。然后，通过所述通孔(154)将所述阻挡层(150)暴露在处理中，以将其从电介质相改变为导电相(180)，以及随后将所述通孔(154)用导电材料(123)进行填充。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 管芯 形成 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路管芯上形成互连结构的方法，所述方法包括：在嵌入第一电介质层(118)中的第一导电互连(123)的表面上选择性沉积电介质阻挡层(150)；在所述第一电介质层(118)和所述电介质阻挡层(100)上沉积第二电介质层(134)；在所述第二电介质层(134)中向所述电介质阻挡层(150)刻蚀通孔(154)；执行将所述电介质阻挡层材料(100)转变成导电材料(180)的工艺，以便形成导电连接部分(180)；以及向在所述第二电介质层(134)中刻蚀的所述通孔(154)中引入导电材料(123)以形成第二导电互连。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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