[发明专利]用于在动态随机存取存储器件的延长的刷新期间降低功耗的系统和方法有效
申请号: | 200580041167.1 | 申请日: | 2005-11-22 |
公开(公告)号: | CN101069062A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | S·L·卡斯珀 | 申请(专利权)人: | 米克伦技术公司 |
主分类号: | G01C7/00 | 分类号: | G01C7/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种动态随机存取存储(“DRAM”)器件,其在普通刷新模式或静态刷新模式下操作,例如自刷新模式。当刷新存储单元时,单元板电压选择器将电源电压的一半的电压耦合到在普通刷新模式和静态刷新模式下的DRAM阵列的单元板。在静态刷新模式下的突发刷新的间隔内,单元板电压选择器将降低的电压耦合到单元板。这降低了跨越在各个存取晶体管的源极/漏极和衬底之间形成的二极管结的电压。所降低的电压减小了来自存储单元电容器的放电电流,因此允许所需刷新率降低,从而降低了功耗。 | ||
搜索关键词: | 用于 动态 随机存取存储器 延长 刷新 期间 降低 功耗 系统 方法 | ||
【主权项】:
1、一种操作具有需要周期性刷新的存储单元阵列的动态随机存取存储器件的方法,每个所述存储单元包括由多个存储单元的电容器通用的单元板形成的存储单元电容器,所述方法包括:在普通操作模式下,将所述单元板偏置到第一电压;在静态刷新模式下,除了将刷新所述阵列内的存储单元时,将所述单元板偏置到第二电压;以及在所述静态刷新模式下,在将刷新所述阵列内的存储单元时,将所述单元板偏置到所述第一电压。
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