[发明专利]用于CMOS工艺的金属栅极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200580041206.8 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101091244A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·K.·谢弗三世;奥路班密·O.·艾蒂图图 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件(100)的方法，包括具有第一区域(104)的半导体衬底、在所述第一区域上形成栅极电介质(108)、在所述栅极电介质上形成导电金属氧化物(110)、在所述导电金属氧化物上形成抗氧化屏障层(111)和在所述抗氧化屏障层上形成覆盖层(116)。在一种实施方式中，所述导电金属氧化物是IrO2、MoO2和RuO2，而所述抗氧化屏障层包括TiN。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cmos 工艺 金属 栅极 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：制备半导体衬底，其中该半导体衬底具有第一区域；在所述第一区域上形成栅极电介质；在所述栅极电介质上形成导电金属氧化物；在所述导电金属氧化物上形成抗氧化屏障层；和在所述抗氧化屏障层上形成覆盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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