[发明专利]具有氮化氧化物层的半导体器件及其方法有效
| 申请号： | 200580041207.2 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101124667A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林相佑;罗伯特·F·施泰梅尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/4763 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括基板(12)、在基板(12)的表面上形成的第一绝缘层(14)、在第一绝缘层(14)的表面上形成的纳米晶体层(13)、在纳米晶体层(13)上面形成的第二绝缘层(15)。向第二绝缘层(15)施加氮化环境，以形成在基板(12)上形成第三绝缘层(22)时阻挡进一步氧化的阻挡层。第二绝缘层(15)的氮化在未增加用于制造半导体器件(10)的工艺流程的复杂性的情况下，防止了纳米晶体的氧化或收缩，并且防止了第一绝缘层14的厚度的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 氧化物 半导体器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供半导体基板；在半导体基板的表面上形成第一绝缘层；在第一绝缘层的表面上形成纳米晶体层；在纳米晶体层上面形成第二绝缘层；向第二绝缘层施加氮化环境；选择性地移除部分纳米晶体层以及第一和第二绝缘层，以暴露半导体基板的表面；并且在半导体基板的暴露表面上形成第三绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
