[发明专利]曝光装置及器件制造方法无效
申请号: | 200580041276.3 | 申请日: | 2005-11-30 |
公开(公告)号: | CN101069266A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 冈田尚也;菅原龙 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;徐谦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种曝光装置,其是经由投影光学系统(PL)向衬底(P)照射曝光用光而使衬底(P)曝光的曝光装置,投影光学系统(PL)具有最靠近投影光学系统(PL)的像面的第一光学元件(LS1)、次于第一光学元件(LS1)地靠近像面的第二光学元件(LS2)。曝光装置具备第二回收口(42),其设于比第二光学元件(LS2)的底面(T3)高的位置,回收填充于第一光学元件(LS1)的顶面(T2)与第二光学元件(LS2)的底面(T3)之间的第二空间(K2)的第二液体(LQ2)。 | ||
搜索关键词: | 曝光 装置 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种曝光装置,经由投影光学系统向衬底照射曝光用光而使所述衬底曝光,其特征在于,所述投影光学系统具有最靠近该投影光学系统的像面的第一光学元件、和次于所述第一光学元件地靠近所述像面的第二光学元件,具备回收口,该回收口设于比所述第二光学元件的底面高的位置,回收填充于所述第一光学元件的顶面与所述第二光学元件的底面之间的空间的液体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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