[发明专利]多位纳米晶体存储器

摘要

一种具有纳米晶体栅极结构的改进型存储器单元(图20)可以在加工工艺中使用多个沟槽(52，57)来形成。该纳米晶体栅极结构(20)包括在基片(10)上的隧道氧化物层(21)、纳米晶体层(22)以及控制氧化物层(23)。形成第一沟槽(52)，并且在基片中接近第一沟槽底部的地方形成掺杂区域(54，55)。在形成至少一个掺杂区域之后，去除纳米晶体结构(20)的一部分。填充第一沟槽(31)，并且在非常接近于第一沟槽的位置上形成第二沟槽(57)。随后，去除纳米晶体栅极结构(20)在第二沟槽底部附近的第二部分。该加工工艺通过使用多个沟槽来减小纳米晶体栅极结构的尺寸，从而提高存储器单元的性能。

主权项

1.一种制作非易失性存储器单元器件的方法，所述方法包括：在基片上形成纳米晶体层；在所述纳米晶体层上形成第一多晶硅层；去除所述第一多晶硅层的第一部分，从而在所述第一多晶硅层中形成第一沟槽；去除所述纳米晶体层的第一部分，所述纳米晶体层的所述第一部分基本上是在由所述第一沟槽所环绕的区域内；去除所述第一多晶硅层的第二部分，所述第二部分偏离所述第一沟槽位置小于光学加工工艺中的光刻分辨率极限的距离，从而在所述第一多晶硅层中形成第二沟槽；去除所述纳米晶体层的第二部分，所述纳米晶体层的所述第二部分基本上是在由所述第二沟槽所环绕的区域内，从而形成宽度小于光学加工工艺中的光刻分辨率极限的纳米晶体栅极区域；以及，在所述基片上形成多个掺杂区域。