[发明专利]提供温度补偿的输出电压的参考电压发生器有效
| 申请号： | 200580041712.7 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101443721A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王振华 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提供参考电压(Vref_new)的参考电压发生器(40)。电压发生器(30)在小于硅带隙电压的电源电压(Vdd)操作。它包括用作跨导器(Gptat)的MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)。提供了用于把漏极电流(Iptat)馈入所述MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)的漏极的输入节点，而且输出节点与所述MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)的漏极和栅极相连。电流发生器(42)允许MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)在特定模式下操作，其中漏极电流(Iptat)具有正温度系数(αptat)且跨导器(Gptat)具有负温度系数(αGM)。选择MOSFET晶体管的尺寸(W，L)，以使所述负温度系数(αGM)接近所述正温度系数(αptat)，以使所述输出节点处提供的所述参考电压(Vref_new)得到温度补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 温度 补偿 输出 电压 参考 发生器 | ||
【主权项】：
1. 一种提供参考电压(Vref_new)的参考电压发生器(30；40；50；60)，所述电压发生器(30；40；50；60)在小于硅带隙电压的电源电压(Vdd)操作，包括：-具有漏极、源极和栅极的MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)，所述MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)用作跨导器(Gptat)；-输入节点，用于把漏极电流(Iptat)馈入所述MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)的漏极；-输出节点，与所述MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)的漏极相连；-电流发生器(22；42；62)，允许所述MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)在特定模式下操作，其中所述漏极电流(Iptat)具有正温度系数(αptat)且所述跨导器(Gptat)具有负温度系数(αGM)，其中选择所述MOSFET晶体管的尺寸(W，L)，以使所述负温度系数(αGM)接近所述正温度系数(αptat)，以使所述输出节点处提供的所述参考电压(Vref_new)得到温度补偿。
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