[发明专利]光活性膜、其制备和用途、及通过照射所述膜制备表面浮雕和光学各向异性结构

摘要

本发明涉及均匀的光活性膜，所述光活性膜由具有可以经历光反应的残基的聚电解质组成或者包含所述聚电解质，所述聚电解质主要包含根据通式(I)至(IV)中任一个的至少一种结构，即[Pol(R^*－P－R’)]_o^on+n/x A^x－(I)、n/x A^x+[Pol(R^*－P－R’)]_o^on－(II)、[Pol(R^1*－Q－R^1’)]_o^on+n/x A^x－(III)、n/x A^x+[Pol(R^1*－Q－R^1’)]_o^on－(IV)，其中Pol意指直链或支链化的聚合物链的重复单元，o表示该聚合物链的重复单元数，并且(R^*－P－R’)和(R^1*－Q－R^1’)是重复单元Pol的荷n个正电荷或负电荷的侧链，其中P是能够光诱导E/Z异构化的基团，Q是能够参与光致环加成、或者能够参与光诱导重排、或者参与所谓的Photo－Fries反应的基团，A是荷相反电荷的阳离子或阴离子，n优选是1或2，x是1或2，并且o至少是2，条件是在一种聚电解质中，基团[R－P－R’]和/或[R¹－Q－R^1’]全都具有相同的符号。本发明还提供所述膜的制备、其用途和具有表面浮雕结构的本发明薄膜复制品的制备。

主权项

1.一种由具有可以经历光反应的残基的聚电解质组成的或者包含所述聚电解质的材料的均匀的光活性膜，所述光反应选自光异构化、光致环加成和光诱导的重排，所述聚电解质主要包含根据通式I或II：[Pol(R*-P-R’)]o on+n/x Ax-(I)或者n/x Ax+[Pol(R*-P-R’)]o on-(II)，和/或通式III或IV：[Pol(R1*-Q-R1’)]o on+n/x Ax-(III)或者n/x Ax+[Pol(R1*-Q-R1’)]o on-(IV)中的至少一种结构或者基本上由根据通式I或II和/或通式III或IV中至少一种结构组成，其中Pol意指直链或支链化的聚合物链的重复单元，o表示所述聚电解质链的重复单元数，并且(R*-P-R’)和(R1*-Q-R1’)是所述重复单元Pol的荷n个正电荷或负电荷的侧链，其中P是能够光诱导E/Z异构化的基团，R*选自任选取代的和/或官能化的含芳基的基团，其与所述重复单元Pol和基团P结合，R’选自任选取代的和/或官能化的含芳基的基团，其中R*和R’中至少之一荷正电荷或负电荷，Q是能够参与光致环加成、或者能够参与光诱导的重排、或者参与所谓的Photo-Fries反应的基团，R1*选自任选取代的和/或官能化的具有接受电子的性质的基团，并且与所述重复单元Pol和基团Q结合，R1’选自任选取代的和/或官能化的具有接受电子性质的基团，或者包含至少一个芳基部分或者包含与Q一起形成芳环或者杂芳环的基团，其中R1*和R1’至少之一荷正电荷或负电荷，或者其中包含R1’和Q的环结构和/或其上面的取代基携带至少一个正电荷或负电荷，A是荷相反电荷的阳离子或阴离子，n是1、2、3或4，x是1或2，并且o至少是2，条件是在一种聚电解质中，基团Pol和/或[R-P-R’]和/或[R1-Q-R1’]全都具有相同的符号。