[发明专利]利用磁致伸缩效应的可变电感型MEMS压力传感器无效
| 申请号： | 200580042137.2 | 申请日： | 2005-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN101160514A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 崔范圭;吴哉根 | 申请（专利权）人： | 株式会社MDT |
| 主分类号： | G01L1/12 | 分类号： | G01L1/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 利用磁致伸缩效应的可变电感型MEMS压力传感器包括电感阵列单元和电容单元。该电感阵列单元包括线圈单元，其具有多个形成在第一衬底上的串联的环形电极和一一对应于环形电极的磁致伸缩材料薄膜，形成在以预定距离与第一衬底平行相对的第二衬底上，以形成具有磁致伸缩材料薄膜作为线圈单元磁芯的电感，用来感应磁致伸缩薄膜取决于外部压力的导磁率的变化，以改变电感的感应系数。该电容单元与电感阵列单元构成LC谐振电路，以将电感阵列单元中释放的磁能转换为电压。该可变电感型MEMS压力传感器具有极好的分辨率，这是因为它比传统的压阻或电容传感器更灵敏，并且可采用可替代半导体加工的MEMS加工技术制作，从而能够最小化和批量加工以降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 伸缩 效应 可变 电感 mems 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种利用磁致伸缩效应的可变电感型MEMS压力传感器，包括：电感阵列单元，所述电感阵列单元包括：线圈单元，所述线圈单元具有多个串联的并形成在第一衬底上的环形电极；和磁致伸缩材料薄膜，磁致伸缩材料薄膜一一对应于环形电极并形成在以预定距离平行面对第一衬底的第二衬底上，以形成具有磁致伸缩材料薄膜作为线圈单元的磁芯的电感，以用于根据外部压力来感生磁致伸缩薄膜的导磁率的变化从而改变电感的感应系数；和电容单元，用来与电感阵列单元构成LC谐振电路，以将从电感阵列单元释放的磁能转换为电压。
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