[发明专利]采用突变金属－绝缘体转变层的装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200580042261.9 | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101073156A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 尹斗协;金铉卓;蔡秉圭;孟成烈;姜光镛 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 突变金属－绝缘体转变装置包括：突变金属－绝缘体转变材料层，包括小于或等于2eV的能隙和在一定空穴水平之内的空穴；和两个电极，接触突变金属－绝缘体转变材料层。在此，两个电极中的每一个都通过热处理一叠层来形成，该叠层的第一层形成在突变金属－绝缘体转变材料层上，并且包括Ni或Cr，第二层形成在第一层上，并且包括In，第三层形成在第二层上，并且包括Mo或W，而第四层形成在第三层上，并且包括Au。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 突变 金属 绝缘体 转变 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种突变金属-绝缘体转变装置，包括：突变金属-绝缘体转变材料层，具有小于或等于2eV的能隙和在一定空穴水平之内的空穴；和第一和第二电极，接触该突变金属-绝缘体转变材料层，其中，该第一和第二电极中的每一个都通过热处理一组叠层来形成，该叠层包括：第一层，形成在该突变金属-绝缘体转变材料层上，并且包括Ni或Cr；第二层，形成在该第一层上，并且包括In；第三层，形成在该第二层上，并且包括Mo或W；和第四层，形成在该第三层上，并且包括Au。
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