[发明专利]带有射频加热的处理腔的化学气相沉积反应器无效
| 申请号： | 200580042263.8 | 申请日： | 2005-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101072900A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 约翰尼斯·卡普勒;弗兰克·维施迈尔 | 申请（专利权）人： | 艾克斯特朗股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王冉;王景刚 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在至少一个基片，特别是结晶基片上沉积结晶涂层的沉积设备。所述设备包括处理腔(5)，该处理腔包括许多壁元件(1、2、3、4)，所述壁元件(1、2、3、4)是导电的并且端对端放置，这样形成接触(2’、2”、3’、3”)；反应器壳体(6)，该壳体包围处理腔的壁元件并且由非导电材料制成；和RF加热线圈，该线圈围绕处理腔的壁元件(1、2、3、4)。本发明的特征在于，实体单件屏蔽加热管(8)植入到反应器壳体(6)和处理腔的壁(1、2、3、4)之间。所述管的材料是导电的，使得其被RF线圈产生的RF场感应在其内的涡流加热，并且使得该管显著地吸收RF场并且加热处理腔的壁(1、2、3、4)。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 射频 加热 处理 化学 沉积 反应器 | ||
【主权项】：
1.一种用来在至少一个基片，特别是结晶基片上沉积层，特别是结晶层的设备，该设备包括处理腔(5)，该处理腔由许多壁元件(1、2、3、4)形成，这些壁元件(1、2、3、4)是导电的并且靠着彼此啮合以形成碰触接触(2’、2”、3’、3”)；包括反应器壳体(6)，该壳体容纳处理腔壁元件(1、2、3、4)且由非导电材料构成；和包括RF加热线圈，该线圈包围处理腔壁元件(1、2、3、4)，其特征在于，单件固体屏蔽/加热管(8)，其设置在反应器壳体(6)和处理腔壁(1、2、3、4)之间，该屏蔽/加热管的材料以这样的方式导电，即该屏蔽/加热管被RF线圈(7)产生的RF场所感应的涡流加热，该屏蔽/加热管将所述RF场衰减到显著的程度并且该屏蔽/加热管加热处理腔壁(1、2、3、4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾克斯特朗股份公司，未经艾克斯特朗股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580042263.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
