[发明专利]用于改变光的极化状态的方法和装置

摘要

一种利用磁单轴晶体改变光的极化状态的方法，该晶体首先具有特定的多畴结构，其中光穿过晶体的预定区域，并且在晶体(1)上施加具有磁场强度H1的磁场脉冲，在该磁场强度下晶体(1)转变为可逆的单畴状态。为了在尽可能小的开关和响应时间下扩大可用的孔径，在晶体(1)转变到可逆单畴状态之后在该晶体(1)上施加相同极性并具有磁场强度H2的保持磁场，该磁场强度H2小于磁场强度H1并且保持可逆的单畴状态。

主权项

1.一种利用磁单轴晶体改变光的极化状态的方法，其中所述晶体首先具有特定的多畴结构，光穿过所述晶体的预定区域，并且在所述晶体(1)上施加磁场强度为H1的磁场脉冲，其中在所述磁场强度H1下，所述晶体(1)转变到可逆的单畴状态，其特征在于，在晶体(1)转变到可逆的单畴状态之后，在所述晶体(1)上施加相同极性并且磁场强度为H2的保持磁场，其中所述磁场强度H2小于磁场强度H1，并且保持可逆的单畴状态。