[发明专利]使用激光退火进行固相外延再结晶

摘要

本发明揭示用于为MOS型晶体管制作浅且陡梯度的漏极延伸区的方法(70)，其中在半导体产品的制造中，使用激光SPER退火工艺在漏极延伸区内进行固相外延再结晶。一种方法(70)包括预先非晶化工艺(74)，所述预先非晶化工艺(74)包括以下步骤：将诸如锗等重离子物质深深植入衬底的与所述衬底的沟道区邻接的延伸区内，以形成深的非晶区；然后将硼或另一种这样的掺杂物质植入所述衬底的与沟道区邻接的延伸区内。然后在低温下对所植入的掺杂剂进行预退火(78)，以设定结深和掺杂浓度。随后使用激光在高温下对所述延伸区及/或深源极/漏极区进行退火(84)，由此在贴近沟道区的区内提供固相外延再结晶，以便以陡梯度获得超高掺杂浓度和活化水平。

主权项

1、一种在MOS晶体管内制作漏极延伸区的方法，其包括：将重离子物质植入衬底的与所述衬底的沟道区相邻接的延伸区内，以形成非晶区；将掺杂物质植入所述衬底的与所述沟道区相邻接的所述延伸区内；使用低温预退火工艺在低于所述衬底的再结晶温度的温度下对所述延伸区内的所述植入掺杂物质进行退火，以设定结深和掺杂浓度；及使用激光对所述延伸区进行退火，以活化大致上整个所述漏极延伸区中的所述掺杂物质。