[发明专利]多色LED以及有关的半导体器件有效
申请号: | 200580042503.4 | 申请日: | 2005-08-22 |
公开(公告)号: | CN101076898A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 托马斯·J·米勒;迈克尔·A·哈斯;孙晓光 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;黄启行 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种包括位于pn结内部的第一势阱和不位于pn结内部的第二势阱的半导体器件。该势阱可以是量子阱。该半导体器件典型地为LED,可以是白光或接近白光的LED。该半导体器件可能另外包含一个不位于pn结内部的第三势阱。该半导体器件可能另外包含围绕或靠近或直接相邻第二势阱或第三量子阱的吸收层。此外,提供包括根据本发明的半导体器件的图形显示设备和照明设备。 | ||
搜索关键词: | 多色 led 以及 有关 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括位于pn结内部的第一势阱和不位于pn结内部的第二势阱。
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