[发明专利]硅的精制方法以及硅无效
| 申请号： | 200580042544.3 | 申请日： | 2005-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN101076494A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 福山稔章 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供精制硅的方法，该方法包括将碳(20、21)与氧化气体反应所生成的处理气吹到熔融硅(8)中的步骤，以及提供由该方法制造的硅。可将碳(20、21)装在容器(14)中，可使所述氧化气体通过该容器(14)，以及所述氧化气体可包含水蒸气和氢气中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 精制 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种硅的精制方法，其包括将碳(20、21)与氧化气体反应所生成的处理气吹到熔融硅(8)中的步骤。
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