[发明专利]双应力SOI衬底

摘要

本发明提供一种应变Si结构，其中该结构的nFET区拉伸应变，且该结构的pFET区压缩应变。宽泛地说，所述应变Si结构包括：衬底；在所述衬底顶上的第一多层的叠层，所述第一多层的叠层包括在所述衬底顶上的压缩介电层和在所述压缩介电层顶上的第一半导体层，其中所述压缩介电层将拉伸应力转移到所述第一半导体层；以及在所述衬底顶上的第二多层的叠层，所述第二多层的叠层包括在所述衬底顶上的拉伸介电层和在所述拉伸介电层顶上的第二半导体层，其中所述拉伸介电层将压缩应力转移到所述第二半导体层。所述拉伸介电层和所述压缩介电层优选包括氮化物，例如Si₃N₄。

主权项

1.一种制造衬底的方法，包括以下步骤：在衬底的第一部分上形成压缩介电层；在衬底的第二部分上形成拉伸介电层；在所述压缩介电层和所述拉伸介电层的顶上形成半导体层；以及穿过所述半导体层形成隔离区，并使所述拉伸介电层与所述压缩介电层分隔，其中所述压缩介电层将拉伸应力转移到所述半导体层的覆盖在所述压缩介电层上面的部分，以及所述拉伸介电层将压缩应力转移到所述半导体层的覆盖在所述拉伸介电层上面的部分。