[发明专利]制造GaN或AlGaN晶体的方法无效
| 申请号： | 200580043154.8 | 申请日： | 2005-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101080516A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 阿明·戴德加;阿洛伊斯·克罗斯特 | 申请（专利权）人： | 阿祖罗半导体股份公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 德国马*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造氮化镓或氮化镓铝单晶的方法和设备。本发明的特征在于，在高于晶体生长温度、但至少在1000℃的温度下对镓或镓与铝进行蒸发，以及由氮气、氢气、惰性气体或这些气体的组合构成的气流通过熔融金属的表面，从而使得所述在熔融金属表面上方的气流阻止了氮前体与熔融金属的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 gan algan 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造氮化镓晶体或氮化铝镓晶体的方法，该方法包括下列步骤：-提供纯镓或铝与镓的混合物在熔融坩埚中的金属熔体；-从所述金属熔体中将镓或镓与铝气化选出；-通过热效应或借助于等离子体使氮前体分解；以及-在小于10巴的压力下使GaN或AlGaN晶体在晶种上进行单晶晶体生长；其中，所述镓或镓与铝的气化在高于晶体生长温度、但至少在1000℃的温度下进行；且其中氮气、氢气、惰性气体或这些气体的组合的气流通过所述金属熔体的表面，从而使得所述在金属熔体表面上方的气流阻止了该氮前体与金属熔体的接触。
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