[发明专利]晶体管器件的改良凹槽式漏极延伸无效
| 申请号： | 200580043603.9 | 申请日： | 2005-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101194346A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | L·H·霍尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/4763 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种形成集成电路晶体管(50)的方法。具有侧壁(59x)的栅极结构(54x)形成于相对衬底的第一半导体区域(52)的固定位置。至少第一层(58x，60x)邻近所述侧壁形成。至少一个凹槽(62x)形成于所述第一半导体区域中，并且从所述栅极结构向外横向延伸。所述第一半导体区域的材料被氧化，以便在凹槽中形成氧化材料。所述氧化材料的至少一部分被从所述凹槽剥离，并且第二半导体区域(66x)形成于该凹槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 改良 凹槽 式漏极 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路晶体管的方法，其包含：提供第一半导体区域；在相对于所述第一半导体区域的固定位置上形成栅极结构，所述栅极结构具有第一侧壁和第二侧壁；形成邻近所述第一侧壁和第二侧壁的至少第一层；在所述第一半导体区域中形成至少一个凹槽并从所述栅极结构横向地向外延伸；对所述至少一个凹槽进行氧化，以致氧化材料形成于其中；将所述氧化材料的至少一部分剥离；以及剥离后在所述至少一个凹槽中形成第二半导体区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
