[发明专利]对非易失性电荷存储存储器单元编程的衬底电子注入技术有效
| 申请号： | 200580044069.3 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101120416A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 乔治·萨玛奇萨 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于快闪存储器的编程技术，所述编程技术使电子从衬底注入存储器单元的电荷存储元件中。使得沿着共同字线或其它共同控制栅极线的正通过施加到所述共同线的电压而编程的存储器单元的源极区和漏极区电浮动，而未被编程的存储器单元的源极区和漏极区具有对其施加的电压。这种编程技术应用于具有NOR或NAND架构的大存储器单元阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 电荷 存储 存储器 单元 编程 衬底 电子 注入 技术 | ||
【主权项】：
1.一种对与共同控制栅极线耦合的多个存储器单元进行选择性编程的方法，其中将所述存储器单元形成在一种导电类型的半导体阱内，所述存储器单元各自具有：具有相反导电类型的源极区和漏极区，所述区形成在所述阱的表面中且所述区之间具有沟道区；和电荷存储元件，其位于所述沟道的至少一部分上，所述阱形成在具有所述相反导电类型的半导体区中，所述方法包含同时：将编程电压施加到所述共同控制栅极线，通过允许沿着所述控制栅极线的所述多个存储器单元中的至少一些存储器单元的源极区和漏极区电浮动而对所述至少一些存储器单元进行编程，和通过将电压施加到沿着所述控制栅极线的所述多个存储器单元中的其它存储器单元的源极区和漏极区中的至少一者而禁止对所述其它存储器单元的编程。
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