[发明专利]利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及层序列

摘要

本发明涉及一种用于利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及一种层序列。根据本发明，在pin薄层太阳能电池或nip薄层太阳能电池中，在涂敷微晶i层之前，利用HWCVD方法将微晶硅层涂敷到下面的p层或n层上。因此，薄层太阳能电池的效率绝对地被提高了直至0.8％。

主权项

1.用于制造薄层太阳能电池的方法，在该方法中，制造pin层序列或nip层序列，其特征在于，上下相叠地沉积下列层：a)微晶的p层或n层，b)通过HWCVD方法所涂敷的微晶硅层，c)微晶i层，d)在存在p层的情况下，作为层a)为n层，而在存在n层的情况下，作为层a)为p层，所述层要么是微晶的要么是非晶形的。