[发明专利]基于SAM生长的纳米制造无效
| 申请号： | 200580044332.9 | 申请日： | 2005-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101088044A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | D·布丁斯基;R·B·A·夏普 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于成核SAM生长的纳米制造工艺、由此制备的构图基板、由此制备的纳米线或纳米线格栅以及包括它们的电子器件。特别是，提供一种工艺，其包括向基板表面的第一表面区域施加第一SAM－形成分子物质，以便在第一表面区域上提供限定支架图案的第一SAM；以及至少向未被第一SAM覆盖的所述基板表面的第二表面区域施加第二SAM－形成分子物质，由此在基板表面上选择性地形成与所述第一SAM的至少一个边缘相邻的第二复制SAM，其包括所述第二SAM－形成分子物质。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sam 生长 纳米 制造 | ||
【主权项】：
1、一种对基板的至少一个表面进行构图的工艺，该工艺包括：(i)向所述基板表面的第一表面区域施加第一SAM-形成分子物质，以便在所述第一表面区域上提供限定支架图案的第一SAM；以及(ii)至少向所述基板表面的未被所述第一SAM覆盖的第二表面区域施加第二SAM-形成分子物质，由此在基板表面上选择性地形成与所述第一SAM的至少一个边缘相邻的第二复制SAM，其包括所述第二SAM-形成分子物质。
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