[发明专利]在一层内包括客体材料的电子装置及形成该装置的方法无效
| 申请号： | 200580044618.7 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101438382A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | S·普拉卡什;C·D·麦克费森;G·斯罗丹诺夫;M·斯坦纳;俞钢 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成电子装置的工艺包括在衬底上形成第一层并将第一液体组合物置于第一层的第一部分上。第一液体组合物至少包括第一客体材料和第一液体介质。第一液体组合物与第一层接触且大量的第一客体材料与第一层混和。一种电子装置包括衬底和覆盖在衬底上的连续的第一层。连续的第一层包括电子元件位于其中的第一部分和没有电子元件位于其中的第二部分。第一部分的厚度至少是30nm并包括第一客体材料，且第二部分的厚度不大于40nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一层 包括 客体 材料 电子 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于形成电子装置的方法，包括：在衬底上形成第一层；以及将第一液体组合物置于所述第一层的第一部分上，所述第一液体组合物包括至少第一客体材料和第一液体介质，所述第一液体组合物与所述第一层接触且主要量的所述第一客体材料与所述第一层混和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
