[发明专利]磊晶晶片的制造方法及磊晶晶片无效
| 申请号： | 200580045209.9 | 申请日： | 2005-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101091237A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 高见泽彰一;佐山隆司 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/205 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造磊晶晶片的方法，至少包含以下的步骤：在具有初期厚度的磊晶用基板的表面上，使磊晶层生长至比最后目标磊晶层的厚度更厚的步骤(D)；对前述已生长的磊晶层进行平面磨削而平坦化的步骤(G)；以及研磨经前述平面磨削后的磊晶层的步骤(H)。优选是使用TTV(表示平坦度)为2微米以下的基板作为磊晶用基板，使磊晶层生长后，进一步含有：磨削该基板的斜角部的步骤(E)和研磨该经磨削的斜角部的步骤(E)。由此，可以提供一种技术，即使具有较厚的磊晶层时，亦能够以高生产力且低成本地制造磊晶层厚度均匀性优良的磊晶晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磊晶晶片的制造方法，其是针对制造磊晶晶片的方法，其特征为，至少包含以下的步骤：在具有初期厚度的磊晶用基板的表面上，使磊晶层生长至比最后目标的磊晶层厚度更厚的步骤；对前述已生长的磊晶层进行平面磨削而平坦化的步骤；以及研磨经前述平面磨削后的磊晶层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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