[发明专利]半导体制造装置、该半导体制造装置进行异常检测、异常原因的确定或异常预测的方法、和记录有用于实施该方法的计算机程序的存储介质有效
申请号: | 200580045356.6 | 申请日: | 2005-12-22 |
公开(公告)号: | CN101095214A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | 坂本浩一;小幡穣;小山典昭 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/44 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 为了检测半导体制造装置的异常,准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出,基于该标绘点和所述边界的位置关系,确定有无异常的发生以及异常的种类。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 进行 异常 检测 原因 确定 预测 方法 记录 用于 实施 计算机 程序 存储 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,为了制造半导体装置而对基板进行处理,其特征在于,具有:边界数据存储部,存储有在二轴坐标系上确定正常区域与异常区域的边界的边界数据,所述二轴坐标系的第一轴和第二轴上分别分配有以选自表示所述半导体制造装置的状态的多个装置状态参数的第一监视对象参数和与所述第一监视对象参数保持某种相关关系而变化的第二监视参数;第一监视模块和第二监视模块,分别监视所述第一监视对象参数和所述第二监视对象参数的值;判断模块,判断分别通过所述第一模块和第二监视模块获得的所述第一监视对象参数的值和所述第二监视对象参数的值的组在所述二轴坐标系上的位置包含在所述正常区域与所述异常区域的哪一个中;和异常报知模块,在所述判断模块判断所述位置包含在所述异常区域中时,通知在所述半导体制造装置发生异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造