[发明专利]用于晶片级包装中光刻胶剥离和残留物去除的组合物和方法无效
申请号: | 200580045567.X | 申请日: | 2005-10-28 |
公开(公告)号: | CN101116178A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | W·M·李 | 申请(专利权)人: | EKC技术公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;C11D11/00;C11D7/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘锴;邹雪梅 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了用于从互联、晶片级包装、和印刷电路板基底中除去光刻胶、聚合物、蚀刻后残余物、和氧灰化后残留物的改进的组合物和方法。一种方法,其包括使该基底与含有效量的有机铵化合物、约2~约20wt%的氧代铵化合物、任选的有机溶剂、和水的混合物接触。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶片 包装 光刻 剥离 残留物 去除 组合 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于从其上存在电路或部分电路的晶片级包装基材、印刷电路板、或者二者中除去聚合物、蚀刻残留物、灰化残留物、或其组合的组合物,该组合物包含:具有下式的有机铵化合物:其中,X为氢氧化物、硫酸盐、硫酸氢盐、磷酸盐、磷酸氢盐、磷酸二氢盐、硝酸盐、羧酸盐、卤化物、碳酸盐、碳酸氢盐、二氟化合物、或其组合,R1为烷基或者衍生自叔胺与有机环氧化物的反应的基团,和R2、R3、和R4各自不为氢,且独立地为烷基、苄基、羟基烷基、苯基、衍生自叔胺与有机环氧化物的反应的基团、或者叔胺中所含的另一基团;大于约2wt%的具有下式的氧代铵(oxoammonium)化合物:其中,X为氢氧化物、硫酸盐、硫酸氢盐、磷酸盐、磷酸氢盐、磷酸二氢盐、硝酸盐、羧酸盐、卤化物、碳酸盐、碳酸氢盐、二氟化合物、或其组合,每个R5独立地为氢、取代的C1-C6直链、支化、或环状烷基、链烯基、炔基,取代的酰基,直链或支化的烷氧基、酰胺基(amidyl)、羧基、烷氧基烷基、烷基氨基、烷基磺酰基、或磺酸基,苯基,取代的苯基,芳基,取代的芳基,或者其盐或衍生物,和每个R6和R7独立地为氢、羟基、取代的C1-C6直链、支化、或环状烷基、链烯基、炔基,取代的酰基,直链或支化的烷氧基、酰胺基(amidyl)、羧基、烷氧基烷基、烷基氨基、烷基磺酰基、或磺酸基,苯基,取代的苯基,芳基,取代的芳基,或者其盐或衍生物;和水,其中,该组合物能够从基底中除去聚合物、蚀刻残留物、灰化残留物、或其组合,同时保持与该基底相关联的电路、或其一部分的可操作性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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