[发明专利]光电检测器、使用光电检测器的空间信息检测装置和光电检测法无效
申请号: | 200580045784.9 | 申请日: | 2005-12-28 |
公开(公告)号: | CN101095241A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | 桥本裕介;高田裕司 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨生平;朱胜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供了一种光电检测器,即使在充足环境光的条件下,其也能够通过阻止信号光的动态范围减少而稳定地获得光电检测输出。该光电检测器包括:聚积电极和保持电极,它们通过绝缘层被安排在光电转换单元上;以及包括控制单元,用于控制向这些电极施加电压的时序和电压的极性。光电转换部分中生成的电子或空穴中的一种被聚积在通过向聚积电极施加电压而形成的聚积区中,而另一种被聚积在通过向保持电极施加电压而形成的保持区中。然后,使在聚积区和保持区中的电子和空穴重新结合,并输出未被重新结合的余留的电子或空穴。 | ||
搜索关键词: | 光电 检测器 使用 空间 信息 检测 装置 | ||
【主权项】:
1.一种光电检测器,包括:光电转换部分,其被配置成通过光的照射来生成电子和空穴;至少一个电极,其通过绝缘层被布置在所述光电转换部分上;第一聚积区,其为通过向所述电极施加电压而在所述光电转换部分中形成的势阱,以便聚积通过光的照射而在所述光电转换部分中生成的电子和空穴中的一种;第二聚积区,其被形成在所述光电转换部分中,以便聚积通过光的照射而在所述光电转换部分中生成的电子和空穴中的另一种;控制单元,其被配置成控制将所述电压施加到所述电极的时序和所述电压的极性中的至少一个;以及输出单元,其被配置成在通过在所述第一和第二聚积区之间传送所述电子和空穴来重新结合所述第一和第二聚积区中聚积的所述电子和空穴后,输出未被重新结合的余留电子和空穴中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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