[发明专利]磁性多层膜的制造方法有效
| 申请号： | 200580045808.0 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101095246A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 菊地幸男;森田正 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/105;G11B5/39;H01L43/08;H01L21/8246;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陆弋;宋志强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁性多层膜的制造方法，包括：在衬底上形成第1磁性层的第1磁性层形成工序；在所述第1磁性层上形成非磁性层的非磁性层形成工序；在所述非磁性层上形成第2磁性层的第2磁性层形成工序；其特征在于，该方法还包括等离子体处理工序，在所述非磁性层形成工序之前，将所述衬底放到等离子体处理装置中，使所述衬底与所述等离子体处理装置处于电绝缘状态，用感应耦合等离子体进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 多层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁性多层膜的制造方法，该方法包括：在衬底上形成第1磁性层的第1磁性层形成工序；在所述第1磁性层上形成非磁性层的非磁性层形成工序；在所述非磁性层上形成第2磁性层的第2磁性层形成工序；其特征在于，该方法还包括：等离子体处理工序，在所述非磁性层形成工序之前，将所述衬底放到等离子体处理装置中，使所述衬底与所述等离子体处理装置处于电绝缘状态，用感应耦合等离子体进行处理。
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