[发明专利]用于阈值宽度控制的多级ONO快闪编程演算法

摘要

提供对多级闪存单元(MLB)的字线进行编程的方法(400)，该存储单元是每一位具有三个或更多个之数据层级对应于三个或更多个之阈值电压(300)。本发明采用交互式编程算法(400)，藉以于两个编程阶段中将存储单元的字线之位编程，以达成高度紧密之Vt分布，其中，前述两个编程阶段包括粗编程阶段(430)及精编程阶段(450)。

主权项

1.一种对多级闪存阵列的字线上的一个或多个存储位进行编程的方法(400)，所述存储位具有两个或更多个的编程层级(L2、L3、L4)及空白层级(L1)，所述层级包括对应于三个或更多个阈值电压(300)的三个或更多个数据层级，该方法包括下列步骤：提供(410)待编程的一个或多个未编程的多级闪存位；对该阵列的所述存储位执行粗编程操作(430)，直至每一所述存储位的该阈值电压大致上相当于粗阈值电压为止，该粗阈值电压是低于目标阈值电压的偏移值；以及对该阵列的所述存储位执行精编程操作(450)，直至每一存储位的该阈值电压大致上相当于该目标阈值电压为止。