[发明专利]形成用于n-FET应用的HfSiN金属的方法有效
| 申请号： | 200580046527.7 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101401211A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | A·C·卡勒伽里;M·M·弗兰克;R·詹米;D·L·拉赛;F·R·麦克菲力;S·扎法尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;李 峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包括HfSiN的化合物金属，所述HfSiN为具有约4.0至约4.5eV，优选约4.3eV的功函数的n型金属，在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。此外，在高温(约1000℃的量级)下退火HfSiN/高k介质/界面层的叠层之后，存在对界面层的还原，由此栅极叠层产生非常小的等效氧化物厚度(典型的12)，这是使用TaSiN所不能获得的。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 fet 应用 hfsin 金属 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的界面层；位于所述界面层上的高k介质；以及位于所述高k介质上的HfSiN栅极金属。
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