[发明专利]半导体器件的多波长激光微加工无效
申请号: | 200580046660.2 | 申请日: | 2005-12-07 |
公开(公告)号: | CN101102866A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | Y·孙;K·布吕兰;R·F·海恩斯;R·哈里斯;W·J·乔丹斯;H·W·鲁;L·孙 | 申请(专利权)人: | 电子科学工业公司 |
主分类号: | B23K26/40 | 分类号: | B23K26/40;H01L21/461 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 由分布图的不同时间的不同激光波长表征的特定形状的激光脉冲能量分布图(98,104,156),提供了减小的、受控制的抖动,从而使得可以进行能够获得高质量加工和较小可能光斑尺寸的半导体器件微加工。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 波长 激光 加工 | ||
【主权项】:
1.一种激光微加工多层结构的方法,其除去深度方向上的部分靶层材料,而不引起所述多层结构的非靶层材料附近明显的损伤,该方法包括:产生能量分布图由第一和第二能量分布图部分组成的激光脉冲,所述激光脉冲包括所述能量分布图第一部分中第一激光波长的第一激光能量特征,和所述能量分布图第二部分中第二激光波长的第二激光能量特征;引导所述激光脉冲至所述靶层材料;在所述能量分布图的第一部分中第一波长的所述第一激光能量特征在深度方向除去所述靶层材料的初始部分,从而形成部分部切断口容积区域而不损伤所述多层结构的非靶层材料;和在所述能量分布图的第二部分中第二波长的所述第二激光能量特征在深度方向除去所述靶层材料的其余部分,从而完成所述部分切断口容积区域的形成而不损伤所述部分切断口容积区域下面或附近的非靶层材料。
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