[发明专利]宽能带隙半导体的常关集成JFET功率开关及其制造方法

摘要

描述了一种包括常关VJFET集成功率开关的宽能带隙半导体器件。该功率开关可以单片或混合地实现，而且可以与在单芯片或多芯片宽能带隙功率半导体模块中建立的控制电路集成。该器件可用于高功率、能耐受温度和抵抗辐射的电子设备部件中。还描述了制造该器件的方法。

主权项

1.一种单片集成电路，包括：具有相反的第一和第二主表面的衬底；以及在衬底的第一主表面上分立的位置上的第一和第二结型场效应晶体管，第一和第二结型场效应晶体管中的每一个都包括：n型半导体材料的漏极层，其在衬底的第一主表面上，而且与该第一主表面不同延，从而使衬底的围绕该漏极层的部分暴露；n型半导体材料的漂移层，其在漏极层上，而且与漏极层不同延，从而使漏极层的部分暴露，该漂移层的电导率低于漏极层的电导率；在漂移层上分立的位置处的一个或多个凸起区域，每个凸起区域包括漂移层上的n型半导体材料的沟道区以及沟道区上的n型半导体材料的源极区，该源极区的半导体材料的电导率高于沟道区的半导体材料的电导率；在漂移层上邻近所述一个或多个凸起区域的p型半导体材料的栅极区，其与漂移层和沟道区的n型材料形成整流结；在栅极和源极区上以及在漏极层的暴露部分上的欧姆触点；第一结型场效应晶体管的源极欧姆触点和第二结型场效应晶体管的栅极欧姆触点之间的第一电连接；以及第一结型场效应晶体管的漏极欧姆触点和第二结型场效应晶体管的源极欧姆触点之间的第二电连接。