[发明专利]宽能带隙半导体横向沟槽场效应晶体管及制造方法

摘要

描述了一种结型场效应晶体管。该晶体管由宽能带隙半导体材料制成。该器件包括源极、沟道、漂移和漏极半导体层，以及p型注入的或肖特基栅极区。源极、沟道、漂移和漏极层可以外延生长。与源极、栅极和漏极区之间的欧姆触点可以形成在晶片的同一侧。该器件根据垂直沟道宽度可以具有不同的阈值电压，并且对相同的沟道掺杂可以实现为既用于耗尽模式操作又用于增强模式操作。该器件可用于数字、模拟和单片微波集成电路。还描述了制造包含该器件的晶体管和集成电路的方法。

主权项

1.一种结型场效应晶体管，包括：具有相反的第一和第二主表面的衬底；在衬底的第一主表面上的n型半导体材料的漏极层；n型半导体材料的漂移层，其在漏极层上，且与漏极层不同延，从而使漏极层的部分暴露，该漂移层的电导率低于漏极层的电导率；在漏极层上相互间隔开的一个或多个分立凸起区域，每个凸起区域包括漂移层上的n型半导体材料的沟道区以及沟道区上的n型半导体材料的源极区，源极区的材料的电导率高于沟道区的材料的电导率；在漂移层上邻近所述一个或多个凸起区域的p型半导体材料的栅极区，其与漂移层和沟道区的n型材料形成整流结；以及在栅极区和源极区上以及在漏极层的暴露部分上的欧姆触点。